[实用新型]一种多晶硅片电阻率测试装置有效

专利信息
申请号: 201921813826.4 申请日: 2019-10-25
公开(公告)号: CN210405225U 公开(公告)日: 2020-04-24
发明(设计)人: 张达奇;姚铮;陈曦;吴坚;蒋方丹 申请(专利权)人: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司
主分类号: H02S50/10 分类号: H02S50/10;G01R27/02
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 胡彬
地址: 215129 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型公开了一种多晶硅片电阻率测试装置,其包括置物平台、驱动组件、拍摄组件、探针组件和电阻率测试组件,置物平台被配置为承载多晶硅片,驱动组件与置物平台相连,驱动组件能够驱动置物平台沿第一方向及第二方向运动,第一方向和第二方向呈夹角设置,拍摄组件位于置物平台上方,拍摄组件被配置为获取多晶硅片的图像,探针组件可升降地设在置物平台上方,探针组件包括四个探针,四个探针的尖端位于同一直线上,四个探针等距间隔分布且相邻两个探针的之间的间距为0.2mm‑0.4mm,电阻率测试组件与探针组件电连接。该多晶硅电阻率测试装置的测试结果较为准确,能够较为真实地反映硅片电阻率的情况。
搜索关键词: 一种 多晶 硅片 电阻率 测试 装置
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