[实用新型]一种半导体结构

摘要

本实用新型实施例涉及存储器制造领域，公开了一种半导体结构，包括：衬底，衬底包括阵列区以及外围区；第一栅极结构，位于阵列区的衬底中；第二栅极结构，位于外围区的衬底上，第二栅极结构包括依次堆叠设置的高介电常数栅极介质层和金属栅极层；电容结构，位于第一栅极结构上。通过将外围区晶体管替换为高介电常数的金属栅极结构，可以降低DRAM外围区功耗；同时由于制造流程上是在形成电容结构后再将外围区的栅极替换为金属栅极结构，能有效防止在形成电容结构时会存在的高温形成过程对外围区晶体管的电学性能造成影响。