[实用新型]一种高密度芯片焊接结构有效
| 申请号： | 201921337381.7 | 申请日： | 2019-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN210325778U | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 张博威 | 申请（专利权）人： | 华宇华源电子科技（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 叶新平 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型一种高密度芯片焊接结构，包括金属载体，位于金属载体上的金属连接区，安装于金属连接区上的多个芯片，金属载体为一体化的金属材料或者在绝缘基材表面附着一层金属导体的载体，金属连接区包括多个金属焊盘或者多条电路走线和多个金属焊盘或者阻焊层，金属焊盘上设有焊料层，焊料层上设有助焊层，电路走线的端点与金属焊盘电连接，金属焊盘通过焊料层的焊料及高温与芯片的焊盘或者电极焊接。一体化的金属材料包括金属基材和金属导体。每个金属焊盘的高度相等或者不相等。本实用新型解决了现有的银胶焊料存在树脂材料与芯片热膨胀系数不匹配，导致粘接后芯片容易与焊料分层、银粉不能100％填充，导电和散热不佳等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高密度 芯片 焊接 结构 | ||
【主权项】：
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