[实用新型]一种用于半熔工艺的坩埚有效
| 申请号： | 201921294758.5 | 申请日： | 2019-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN211256153U | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 胡润光;李建敏;陈欣文;黄俊 | 申请（专利权）人： | 赛维LDK太阳能高科技（新余）有限公司;江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 338004 *** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种用于半熔工艺的坩埚，包括坩埚本体和设置在所述坩埚本体内的硅板，所述坩埚本体包括底座和由所述底座向上延伸的侧壁，所述硅板设置在所述底座上，所述硅板为多晶硅薄板、切片余料板、或所述多晶硅薄板和所述切片余料板交替层叠形成的复合板。本实用新型提供的坩埚可以用于半熔工艺，以制备多晶硅锭，其中硅板可以阻隔硅料与坩埚本体底座的直接接触，避免在铸锭过程中硅锭受到杂质污染，减少尾部红区，提高硅锭的出材率，提高硅锭切片数量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 工艺 坩埚 | ||
【主权项】：
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