[实用新型]一种利用扰流辅助晶体生长的铸锭装置有效
申请号: | 201921132429.0 | 申请日: | 2019-07-18 |
公开(公告)号: | CN210237839U | 公开(公告)日: | 2020-04-03 |
发明(设计)人: | 尹长浩 | 申请(专利权)人: | 尹长浩 |
主分类号: | C30B28/06 | 分类号: | C30B28/06;C30B29/06 |
代理公司: | 连云港润知专利代理事务所 32255 | 代理人: | 刘喜莲 |
地址: | 222300 江苏省连云港市东*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种利用扰流辅助晶体生长的铸锭装置,涉及太阳能电池制造设备领域,包括内置有坩埚的铸锭炉,在铸锭炉内设置有搅拌轴,搅拌轴通过传动机构与配套的驱动装置相接,在铸锭炉的炉盖上固定安装有用于带动驱动装置升降的升降机构;在铸锭炉的炉盖上固定设有与搅拌轴相配套的动态密封机构,在搅拌轴的下部固定安装有用于搅动坩埚内熔体的石墨搅拌叶片,在石墨搅拌叶片上固定复合有陶瓷涂层或陶瓷壳层。本实用新型通过石墨搅拌叶片上下搅动坩埚内熔体,使硅、锗熔体在坩埚中形成充分的水平对流,有利于降低晶体内的位错密度等缺陷,从而提高晶体的生产质量。 | ||
搜索关键词: | 一种 利用 辅助 晶体生长 铸锭 装置 | ||
【主权项】:
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