[实用新型]一种带有止挡结构的双层mems硅压力芯片有效
| 申请号： | 201921129605.5 | 申请日： | 2019-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN210426841U | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 陈君杰;金晓雯;程浩 | 申请（专利权）人： | 苏州瞬通半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/26 | 分类号： | G01L1/26;G01L19/06 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 范丹丹 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型揭示了一种带有止挡结构的双层mems硅压力芯片，该双层mems硅压力芯片包括三层结构，即上层硅片、玻璃粉层和下层硅片，所述上层硅片设置于玻璃粉层的上方，所述玻璃粉层设置于下层硅片的上方，上层硅片、下层硅片与玻璃粉层所包围的部分为空腔。本技术方案通过用双层结构保护了下层硅片，防止下层硅片由于过度形变导致破损失效，可以有效解决过载失效的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 带有 结构 双层 mems 压力 芯片 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州瞬通半导体科技有限公司，未经苏州瞬通半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201921129605.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种电池保护板定位装置
- 下一篇：一种安全可靠的智能停车场
