[实用新型]一种光控晶闸管有效
| 申请号： | 201921074953.7 | 申请日： | 2019-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN209981221U | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 杨建红;师楷;尹晋超;郭小星;王红侠;陈豪翔;许炎;周明 | 申请（专利权）人： | 兰州大学;江苏明芯微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/06;H01L21/332 |
| 代理公司： | 62102 兰州振华专利代理有限责任公司 | 代理人： | 张晋 |
| 地址： | 730000 甘肃*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种光控晶闸管，其中的光控晶闸管既存在阴极短路点，也存在连接在一起的阴极n+区域，在提高器件dv/dt特性的同时，也不会使器件的α2值减少。因此，当α1与α2之和无限趋近于1，且α2没有减少的情况下，使得器件在适合硅吸收的光波长照射下，接受足够的光照强度，完成导通。本实用新型的光控晶闸管不仅具备高电压、大电流，而且能够快速导通。 | ||
| 搜索关键词： | 光控晶闸管 阴极 本实用新型 导通 大电流 短路点 高电压 光波长 硅吸收 光照 照射 | ||
【主权项】：
1.一种光控晶闸管，其特征在于：包括光控晶闸管芯片，所述光控晶闸管芯片包括晶闸管和光触发信号的LED装置，其中所述晶闸管阴极结构包括非欧姆接触型的光生载流子半导体区域和欧姆接触的电流收集区域。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于兰州大学;江苏明芯微电子股份有限公司，未经兰州大学;江苏明芯微电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201921074953.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：双曲率台面晶闸管
- 下一篇：一种高压多次外延型超结MOSFET的结构
- 同类专利
- 专利分类
