[实用新型]常温半导体脉泽器及基于常温半导体脉泽器的无源混频器有效

专利信息
申请号: 201921043621.2 申请日: 2019-07-05
公开(公告)号: CN210092555U 公开(公告)日: 2020-02-18
发明(设计)人: 补世荣;符阳;陈柳;曾成;宁俊松;王占平 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01S1/02 分类号: H01S1/02
代理公司: 电子科技大学专利中心 51203 代理人: 吴姗霖
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 一种常温半导体脉泽及其应用,属于量子力学、半导体物理、电子学技术领域。该常温半导体脉泽通过泵浦微波将含异质结的晶体管中的极化激元激发到高能级,谐振网络在其谐振频率处提供指定的能量通路,使得被激发到高能级的极化激元向下跃迁到能级区域内的指定能级,对外辐射电磁波。本实用新型有效解决了现有脉泽器件对工作环境要求严苛、体积庞大、工艺复杂等难题,通过采用通用半导体工艺条件制作的含异质结的晶体管实现常温脉泽,结构简单,能在常温环境工作,且无需激光作为泵浦即能工作。
搜索关键词: 常温 半导体 脉泽器 基于 无源 混频器
【主权项】:
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