[实用新型]一种浅沟槽的电极同侧二极管芯片有效
| 申请号： | 201920611265.3 | 申请日： | 2019-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN210182392U | 公开（公告）日： | 2020-03-24 |
| 发明（设计）人： | 吴念博 | 申请（专利权）人： | 苏州固锝电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329;H01L23/367;H01L23/373;H01L23/31;H01L21/228;H01L23/29 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 马明渡;陈昊宇 |
| 地址： | 215153 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种浅沟槽的电极同侧二极管芯片，包括硅片衬底，其上表面通过杂质掺杂形成有相互间隔的N+区及P+区，且N+区或P+区的边缘区域开有沟槽；硅片衬底上表面于N+区及P+区的周边区域以及沟槽的表面覆盖有多晶硅钝化复合薄膜层；沟槽中还填充有玻璃胶，并通过高温烧结形成玻璃钝化层；N+区及P+区的表面均沉积有金属层形成金属电极。本实用新型的电极同侧，体积小、成本低、降功耗且电性能优异。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 电极 二极管 芯片 | ||
【主权项】：
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