[实用新型]一种高电子迁移率晶体管及电子装置有效
| 申请号： | 201920556887.0 | 申请日： | 2019-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN209526089U | 公开（公告）日： | 2019-10-22 |
| 发明（设计）人： | 陈道坤;史波;曾丹;陈兆同;何昌 | 申请（专利权）人： | 珠海格力电器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 519070 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及电子技术领域，公开一种高电子迁移率晶体管及电子装置，其中，高电子迁移率晶体管包括：依次设置的衬底、缓冲层和GaN沟道层，GaN沟道层包括栅极区和位于栅极区周围的非栅区域；AlGaN栅下势垒层，形成于GaN沟道层的栅极区背离缓冲层的一侧；栅电极，形成于AlGaN栅下势垒层背离GaN沟道层的侧面；AlGaN势垒层，形成于GaN沟道层的非栅区域，其中，AlGaN势垒层表面形成源极和漏极；其中，AlGaN栅下势垒层的铝含量低于AlGaN势垒层的铝含量，和/或，AlGaN栅下势垒层的厚度小于AlGaN势垒层的厚度。上述高电子迁移率晶体管，可以用于缓解其阈值电压低，易误开通的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 高电子迁移率晶体管 下势垒层 栅极区 电子装置 缓冲层 栅区域 背离 电子技术领域 本实用新型 表面形成 依次设置 电压低 栅电极 衬底 漏极 源极 侧面 缓解 开通 | ||
【主权项】：
1.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括：衬底；缓冲层，形成于所述衬底的一侧；GaN沟道层，形成于所述缓冲层背离所述衬底的侧面，其中，GaN沟道层包括栅极区和位于栅极区周围的非栅区域；AlGaN栅下势垒层，形成于所述GaN沟道层的栅极区背离所述缓冲层的一侧；栅电极，形成于AlGaN栅下势垒层背离GaN沟道层的侧面；AlGaN势垒层，形成于所述GaN沟道层的非栅区域背离所述缓冲层的一侧，其中，所述AlGaN势垒层表面形成有与AlGaN势垒层欧姆接触的源极和漏极；钝化层，覆盖于源极、漏极、栅电极和AlGaN势垒层表面；其中，所述AlGaN栅下势垒层的铝含量低于AlGaN势垒层的铝含量，和/或，所述AlGaN栅下势垒层的厚度小于AlGaN势垒层的厚度。
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