[实用新型]一种双面受光钙钛矿/p型晶体硅基底叠层太阳电池有效

专利信息
申请号: 201920556364.6 申请日: 2019-04-19
公开(公告)号: CN209709024U 公开(公告)日: 2019-11-29
发明(设计)人: 王康旭;陈涛;俞健;黄跃龙;张忠文 申请(专利权)人: 西南石油大学
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/44
代理公司: 11640 北京中索知识产权代理有限公司 代理人: 房立普<国际申请>=<国际公布>=<进入
地址: 610500 四*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型公开一种双面受光钙钛矿/p型晶体硅基底叠层太阳电池,包括P型晶体硅基底;正面膜;隧穿复合层;中间电极;电子传输层;钙钛矿层;空穴传输层;空穴缓冲层;透明导电膜;正电极;N型层;背面膜;以及背面电极。本实用新型采的P型晶体硅基底钙钛矿叠层双面电池结构结合了P型晶体硅双面电池技术和钙钛矿太阳电池技术两种电池的优点,利用了差异化的结构带隙,将晶硅电池同钙钛矿电池级联起来;相较于传统晶体硅太阳电池,叠层太阳电池的开路电压获得较大幅度的增益;同时,作为基底的晶硅太阳电池背面可以吸收额外的散射光,对叠层器件的整体性能有一定的提升。
搜索关键词: 钙钛矿 基底 本实用新型 双面电池 晶体硅太阳电池 叠层太阳电池 晶硅太阳电池 电子传输层 空穴传输层 空穴缓冲层 透明导电膜 背面电极 钙钛矿层 基底叠层 结构结合 晶硅电池 开路电压 双面受光 中间电极 背面膜 差异化 电池级 对叠层 复合层 结构带 散射光 正电极 正面膜 叠层 隧穿 背面 电池 吸收
【主权项】:
1.一种双面受光钙钛矿/p型晶体硅基底叠层太阳电池,其特征在于,包括/nP型晶体硅基底;/n正面膜,所述正面膜形成在所述P型晶体硅基底的上侧表面上;/n隧穿复合层,所述隧穿复合层形成在所述正面膜的表面上;/n中间电极,所述中间电极形成在所述正面膜内,其两端分别与所述P型晶体硅基、所述隧穿复合层形成欧姆接触;/n电子传输层,所述电子传输层形成在所述隧穿复合层的表面上;/n钙钛矿层,所述钙钛矿层形成在所述电子传输层的表面上;/n空穴传输层,所述空穴传输层形成在所述钙钛矿层的表面上;/n空穴缓冲层,所述空穴缓冲层形成在所述空穴传输层的表面上;/n透明导电膜,所述透明导电薄膜形成在所述空穴缓冲层的表面上;/n正电极,所述正电极形成在所述透明导电膜的表面上;/nN型层,所述N型层形成在所述P型晶体硅基底的下侧表面上;/n背面膜,所述背面膜形成在所述N型层的表面上;以及/n背面电极,所述背面电极形成在所述背面膜表面上并与所述N型层的表面接触。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西南石油大学,未经西南石油大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201920556364.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top