[实用新型]镭射二极体模组封帽设备有效
| 申请号: | 201920474373.0 | 申请日: | 2019-04-09 |
| 公开(公告)号: | CN209641621U | 公开(公告)日: | 2019-11-15 |
| 发明(设计)人: | 刘超 | 申请(专利权)人: | 深圳市东飞凌科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;B23K26/21 |
| 代理公司: | 44414 深圳中一联合知识产权代理有限公司 | 代理人: | 蔡鹏娟<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址: | 518000广东省深圳市宝安*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
| 摘要: | 本实用新型提供了一种镭射二极体模组封帽设备,包括工作平台;管帽上料装置,设置于工作平台的顶侧;至少两管座上下料装置,设置于工作平台的顶侧,用于放置镭射二极体模组的管座和完成封帽的镭射二极体模组;至少两焊接装置,设置于工作平台的顶侧,用于将管帽焊接在管座上;输送装置,设置于工作平台的顶侧;以及控制装置。本实用新型采用了管帽上料装置、至少两个管座上下料装置与至少两个焊接装置配合,通过控制装置控制输送装置将管座上下料装置上的管座和将管帽上料装置上的管帽运送到焊接装置上进行焊接,使得在同一生产周期内可以实现至少两个镭射二极体模组封帽,从而解决了镭射二极体模组的封帽工序无法满足高速生产要求的技术问题。 | ||
| 搜索关键词: | 管座 工作平台 二极体 管帽 镭射 模组 顶侧 封帽 上下料装置 焊接装置 上料装置 本实用新型 控制装置 焊接 控制输送装置 生产周期 高速生产 输送装置 运送 配合 | ||
【主权项】:
1.镭射二极体模组封帽设备,其特征在于,包括:/n工作平台;/n管帽上料装置,设置于所述工作平台的顶侧,用于放置镭射二极体模组的管帽;/n至少两管座上下料装置,设置于所述工作平台的顶侧,用于放置镭射二极体模组的管座和完成封帽的镭射二极体模组;/n至少两焊接装置,设置于所述工作平台的顶侧,并与所述管座上下料装置一一对应,用于将所述管帽焊接在所述管座上;/n输送装置,设置于所述工作平台的顶侧,用于将所述管帽上料装置上的所述管帽和所述管座上下料装置上的所述管座运送至所述焊接装置上,及将完成封帽的所述镭射二极体模组从所述焊接装置运送至所述管座上下料装置上;以及/n控制装置,用于控制所述管帽上料装置、所述管座上下料装置、所述焊接装置和所述输送装置按照预设的程序运行。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





