[实用新型]双面阴极螺旋环渐变式硅漂移探测器有效
申请号: | 201920425005.7 | 申请日: | 2019-04-01 |
公开(公告)号: | CN209785962U | 公开(公告)日: | 2019-12-13 |
发明(设计)人: | 李正;熊波 | 申请(专利权)人: | 湖南正芯微电子探测器有限公司 |
主分类号: | H01L31/115 | 分类号: | H01L31/115;H01L31/0352;H01L31/18 |
代理公司: | 43210 长沙新裕知识产权代理有限公司 | 代理人: | 周跃仁 |
地址: | 411000 湖南省湘潭市*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种双面阴极螺旋环渐变式硅漂移探测器,渐变形探测器单元正面和渐变形探测器单元背面位于高阻硅基底相对的两平面上;渐变形探测器单元正面包括第一渐变式P+阴极螺旋环和嵌于其内的N+收集阳极,第一渐变式P+阴极螺旋环由正面圆形区域、正面渐变区域和正面方形区域组成;渐变形探测器单元背面包括第二渐变式P+阴极螺旋环,第二渐变式P+阴极螺旋环由背面圆形区域、背面渐变区域和背面方形区域组成;第二渐变式P+阴极螺旋环中心设有中间电极。正面渐变区域和背面渐变区域均由圆形渐变为方形,且两者方形四角指向圆形的区域相邻两P+阴极螺旋环间设有弧长渐变的悬浮中间电极。减小了探测器阵列的死区面积。 | ||
搜索关键词: | 阴极螺旋 渐变式 背面 探测器单元 渐变区域 渐变形 方形区域 圆形区域 中间电极 硅漂移探测器 本实用新型 探测器阵列 方形四角 双面阴极 阳极 螺旋环 渐变 高阻 硅基 弧长 减小 死区 悬浮 指向 | ||
【主权项】:
1.双面阴极螺旋环渐变式硅漂移探测器,其特征在于,由渐变形探测器单元正面(7)、渐变形探测器单元背面(8)和高阻硅基底(14)组成;渐变形探测器单元正面(7)和渐变形探测器单元背面(8)位于高阻硅基底(14)相对的两平面上;渐变形探测器单元正面(7)包括第一渐变式P+阴极螺旋环(1),第一渐变式P+阴极螺旋环(1)由正面圆形区域、正面渐变区域(9)和正面方形区域组成;第一渐变式P+阴极螺旋环(1)内嵌有N+收集阳极(2);渐变形探测器单元背面(8)包括第二渐变式P+阴极螺旋环(5),第二渐变式P+阴极螺旋环(5)由背面圆形区域、背面渐变区域(10)和背面方形区域组成;第二渐变式P+阴极螺旋环(5)的中心设有中间电极。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的