[实用新型]一种P型MWT-TOPCon晶体硅太阳能电池有效
| 申请号： | 201920423731.5 | 申请日： | 2019-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN209729916U | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 张高洁;路忠林;吴仕梁;张凤鸣 | 申请（专利权）人： | 江苏日托光伏科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 32326 南京乐羽知行专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 李玉平<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种P型MWT‑TOPCon晶体硅太阳能电池，包括P型硅衬底，所述P型硅衬底背面由内往外依次为P型硅表面的二氧化硅层，二氧化硅层表面的掺硼多晶硅层，掺硼多晶硅层表面的氧化铝/氮化硅叠层，多个不连续的穿透氧化铝/氮化硅叠层与掺硼多晶硅接触的第一金属，以及覆盖在氧化铝/氮化硅叠层的氮化硅膜表面的第二金属；所述P型硅衬底正面受光面由内往外依次设置为P型硅表面的掺杂磷的n+层，以及掺杂磷的n+层表面的氮化硅钝化层。本实用新型使得PERC电池背面的金属与硅接触处的少数载流子复合被有效减少，电池效率得到进一步提高，并且本实用新型结合MWT技术，电池的受光面栅线被一部分移到电池背面，减少遮光，进一步提高电池效率。 | ||
| 搜索关键词： | 本实用新型 氮化硅 氧化铝 掺硼 叠层 电池效率 受光面 金属 掺杂 晶体硅太阳能电池 电池 二氧化硅层表面 氮化硅钝化层 氮化硅膜表面 多晶硅层表面 多晶硅接触 二氧化硅层 少数载流子 衬底背面 衬底正面 电池背面 多晶硅层 依次设置 有效减少 不连续 复合被 接触处 衬底 栅线 遮光 穿透 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种P型MWT-TOPCon晶体硅太阳能电池，其特征在于：包括P型硅衬底，所述P型硅衬底背面由内往外依次为P型硅表面的二氧化硅层，二氧化硅层表面的掺硼多晶硅层，掺硼多晶硅层表面的氧化铝/氮化硅叠层，以及第一金属和氧化铝/氮化硅叠层的氮化硅膜表面的第二金属；所述P型硅衬底正面受光面由内往外依次设置为P型硅表面掺杂磷的n+层，以及n+层表面的氮化硅钝化层。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
