[实用新型]一种用于低电压低压差LDO的限流电路

摘要

本实用新型公开一种用于低电压低压差LDO的限流电路，通过NMOS管NM5、PMOS管PM6、PMOS管PM7、PMOS管PM8、PMOS管PM9、NMOS管NM11、NMOS管NM12和电阻R3、电阻R4、电阻R5构成的局部多重反馈环路，能够有效改善低电压低压差工作LDO的限流电路启动瞬态限流能力差的问题。

主权项

1.一种用于低电压低压差LDO的限流电路，其特征在于，包括PMOS管PM1、PMOS管PM2、PMOS管PM3、PMOS管PM4、PMOS管PM5、PMOS管PM6、PMOS管PM7、PMOS管PM8、PMOS管PM9、NMOS管NM1、NMOS管NM2、NMOS管NM3、NMOS管NM4、NMOS管NM5、NMOS管NM6、NMOS管NM7、NMOS管NM8、NMOS管NM9、NMOS管NM10、NMOS管NM11、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5和电容C1；/nNMOS管NM1的栅极接输入电压VINA，源极接NMOS管NM2的漏极；NMOS管NM2的栅极接基准电压VREF；/nNMOS管NM3的栅极接输入电压VINB，源极接NMOS管NM4的漏极；NMOS管NM4的源极与NMOS管NM2的源极连接；/nNMOS管NM5的源极、NMOS管NM6的漏极连接NMOS管NM2源极与NMOS管NM4源极的连接点；NMOS管NM5的漏极接NMOS管NM3的漏极；NMOS管NM6的源极接地；/nNMOS管NM7的源极接地，栅极接NMOS管NM8的栅极；NMOS管NM8的源极接地；/nNMOS管NM9的源极接NMOS管NM7的漏极，栅极接NMOS管NM10的栅极；NMOS管NM10的源极接NMOS管NM8的漏极；/nPMOS管PM1的栅极接PMOS管PM2的栅极，漏极与NMOS管NM9的漏极连接且该连接点接输入电压VINC；PMOS管PM2的漏极接NMOS管NM10的漏极；/nPMOS管PM3的栅极接PMOS管PM4的栅极，源极接输入电压VINC，漏极接PMOS管PM1的源极；PMOS管PM3漏极与PMOS管PM1源极的连接点接NMOS管NM5漏极与NMOS管NM3漏极的连接点；PMOS管PM4的源极接输入电压VINC，漏极接PMOS管PM2的源极和NMOS管NM1的漏极；/nPMOS管PM5的源极接输入电压VINC，栅极接PMOS管PM2漏极与NMOS管NM10漏极的连接点；/n电阻R1的一端与电阻R2的一端连接且该连接点连接NMOS管NM4的栅极，另一端接PMOS管PM5的漏极；电阻R2的另一端接地；/n电容C1的一端连接电阻R1另一端与PMOS管PM5漏极的连接点，另一端接地；/nPMOS管PM6的源极接输入电压VINC；PMOS管PM7的源极接输入电压VINC；/nPMOS管PM8的栅极接地，源极接PMOS管PM6的漏极；PMOS管PM9的源极接PMOS管PM7的漏极，栅极接输出电压VOUT1；/n电阻R3的一端接PMOS管PM8的漏极；/n电阻R4的一端接电阻R3的另一端；电阻R5的一端接PMOS管PM9的漏极；电阻R4一端与电阻R3另一端的连接点连接电阻R5一端与PMOS管PM9漏极的连接点；NMOS管NM5的栅极接电阻R5一端与PMOS管PM9漏极的连接点；/nNMOS管NM11的漏极接电阻R4的另一端，源极接地，栅极接输出电压VOUT2；/nNMOS管NM12的漏极接五电阻R5的另一端，源极接地；/nNMOS管NM12的栅极、PMOS管PM7的栅极、PMOS管PM6的栅极与PMOS管PM5的栅极连接。/n