[实用新型]具有新型布局的图像传感器有效
申请号: | 201920302012.8 | 申请日: | 2019-03-08 |
公开(公告)号: | CN210142651U | 公开(公告)日: | 2020-03-13 |
发明(设计)人: | 徐辰;王欣;莫要武;邵泽旭;石文杰 | 申请(专利权)人: | 思特威(上海)电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201203 上海市浦东新区自*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型提供一种具有新型布局的图像传感器。所述图像传感器包括由多个按行和列设置的像素单元构成的像素阵列,每个所述像素单元包括感光单元,所述感光单元包括光电二极管和传输晶体管;所述传输晶体管沿一倾斜角度设置于所述光电二极管的角部;所述传输晶体管的设置结构形成一开口,浮动扩散点设置于所述开口处;源极跟随晶体管设置于所述像素单元的角部位置,并靠近所述浮动扩散点。所述像素单元还可包括一转换增益控制晶体管,置于所述复位晶体管同一边侧。本实用新型提出的新型结构布局图像传感器,像素单元的浮动扩散点电容小,像素电路转换增益高,能有效提高图像传感器的性能。 | ||
搜索关键词: | 具有 新型 布局 图像传感器 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的