[实用新型]一种结合高功率脉冲磁控溅射技术的硒鼓制备系统有效
| 申请号： | 201920268136.9 | 申请日： | 2019-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN209989459U | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 廖斌;庞盼;唐杰;罗军;陈琳 | 申请（专利权）人： | 深圳南科超膜材料技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/54 |
| 代理公司： | 44459 深圳市宾亚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄磊 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙华区观澜街道新澜社*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种结合高功率脉冲磁控溅射技术的硒鼓制备系统，包括基体，相互连接的真空系统、高功率脉冲磁控溅射系统、真空阴极弧沉积系统和控制系统，基体通过高功率脉冲磁控溅射系统与真空阴极弧沉积系统结合制备成硒鼓；通过将高功率脉冲磁控溅射与真空阴极弧沉积系统相结合，改变等离子体区间的电势分布，提高等离子体密度，在一定程度上解决HIPIMS沉积速率低的问题，同时有效改善了膜基界面结合状况，膜层的致密性良好，制备的薄膜颜色根据薄膜成分可调，沉积速率有所提高，使用性能优良，能够改善界面性能，提高薄膜的摩擦学特性。 | ||
| 搜索关键词： | 高功率脉冲 真空阴极弧 沉积系统 等离子体 磁控溅射系统 硒鼓 沉积 制备 薄膜 磁控溅射技术 本实用新型 薄膜颜色 磁控溅射 电势分布 界面性能 控制系统 膜基界面 使用性能 真空系统 制备系统 致密性 可调 膜层 摩擦 | ||
【主权项】：
1.一种结合高功率脉冲磁控溅射技术的硒鼓制备系统，其特征在于：包括基体，和相互连接的真空系统、高功率脉冲磁控溅射系统、真空阴极弧沉积系统和控制系统，所述基体通过所述高功率脉冲磁控溅射系统与所述真空阴极弧沉积系统结合制备成硒鼓；/n所述真空阴极弧沉积系统(FCVA)以碳靶为阴极，利用双90度磁过滤沉积，在所述基体上进行高致密DLC涂层的沉积；/n所述DLC涂层由阳极层气体离子源进行纳米结构刻蚀形成1-3nm的无定形增透及耐磨层；/n所述高功率脉冲磁控溅射系统和所述真空阴极弧沉积系统的离子束呈夹角分布。/n
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