[实用新型]用于深度去除高纯碳化硅粉体中杂质元素的装置有效
| 申请号： | 201920256446.9 | 申请日： | 2019-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN209835645U | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 李显坪;陈琦;唐宝发 | 申请（专利权）人： | 扬州中天利新材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/956 | 分类号： | C01B32/956 |
| 代理公司： | 32106 扬州市锦江专利事务所 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 用于深度去除高纯碳化硅粉体中杂质元素的装置，涉及碳化硅半导体用高纯碳化硅（5N+）的深度提纯技术装备。在石英管内腔设置坩埚，在远离观察甁的石英管端通过管道连接HCl供料装置，在石英管外部设置加热层；在喷淋装置内设置填料隔置层，在喷淋装置外布置碱液循环泵，碱液循环泵的出液口和进液口分别与喷淋装置的上、下端相连通。本实用新型结构简单、操作方便，可实现去除碳化硅粉体中硼、铝、钛、铁、钒等杂质元素，达到碳化硅高纯至5～6N的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 喷淋装置 石英管 高纯碳化硅 碱液循环泵 杂质元素 去除 碳化硅半导体 本实用新型 碳化硅粉体 供料装置 管道连接 外部设置 出液口 加热层 进液口 碳化硅 提纯 粉体 高纯 内腔 坩埚 连通 技术装备 观察 | ||
【主权项】：
1.用于深度去除高纯碳化硅粉体中杂质元素的装置，其特征在于包括依次连通的石英管、观察甁和喷淋装置；在石英管内腔设置坩埚，在远离观察甁的石英管端通过管道连接HCl供料装置，在石英管外部设置加热层；在喷淋装置内设置填料隔置层，在喷淋装置外布置碱液循环泵，碱液循环泵的出液口和进液口分别与喷淋装置的上、下端相连通。/n
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