[实用新型]一种半导体发光元件有效
| 申请号： | 201920125585.8 | 申请日： | 2019-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN209266434U | 公开（公告）日： | 2019-08-16 |
| 发明（设计）人： | 范慧丽;汪学鹏;黄翰毅;蔡吉明 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一涉及一种具有发光区保护层的半导体发光元件，本实用新型在制备电极之前先制备一第二保护层，然后在电极制备之后再制备一第一保护层，并通过升高保护层的沉积温度，使得第二保护层的致密度大于第一保护层，双保护层来保护外延层的发光区域，防止水汽渗入导致的发光区烧伤异常现象，提升LED器件的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 半导体发光元件 本实用新型 第二保护层 第一保护层 保护层 发光区 半导体技术领域 电极制备 发光区域 使用寿命 双保护层 异常现象 水汽 外延层 电极 沉积 渗入 烧伤 升高 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光元件，包括：一发光外延层，自下而上依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；一第一电极，位于所述第一半导体层上，并与所述第一半导体层形成电性连接；一第二电极，位于所述第二半导体层上，并与所述第二半导体层形成电性连接；一透明导电层，位于第二半导体层和第二电极之间；一第一保护层，位于发光外延层之上，且部分包覆第一电极和第二电极表面；其特征在于：该发光二极管还包括一第二保护层，该第二保护层设置于发光外延层以及、透明导电层侧壁的侧表面，以及延伸至透明导电层之上的上表面，所述第二保护层的致密度大于所述第一保护层的致密度。
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