[实用新型]一种触摸屏用双面镀膜双面消影ITO导电膜有效

专利信息
申请号: 201920095826.9 申请日: 2019-01-21
公开(公告)号: CN209328540U 公开(公告)日: 2019-08-30
发明(设计)人: 潘景林 申请(专利权)人: 台玻(青岛)光电科技有限公司
主分类号: H01B5/14 分类号: H01B5/14;G06F3/041
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 266000 山*** 国省代码: 山东;37
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 实用新型公开了一种触摸屏用双面镀膜双面消影ITO导电膜,属于光电玻璃技术领域,包括TG基板、分别镀于TG基板上下表面的五氧化二铌膜、镀于五氧化二铌膜表面的二氧化硅膜和分别镀于二氧化硅膜表面的ITO导电层,其中,二氧化硅膜的厚度大于五氧化二铌膜厚度的十倍,五氧化二铌膜的折射率远远大于二氧化硅膜的折射率,进而进而五氧化二铌膜和厚度大于五氧化二铌膜厚度的8倍且小于五氧化二铌膜厚度的10倍的二氧化硅膜相互配合组成消影层,该消影层与ITO导电层相互配合保证了ITO导电膜刻蚀前后的反射差小于0.5%,实现了ITO导电膜的阻值范围为60欧~90欧,可以完全实现消影效果。
搜索关键词: 五氧化二铌 二氧化硅膜 消影 双面镀膜 触摸屏 消影层 折射率 基板 二氧化硅膜表面 本实用新型 光电玻璃 上下表面 膜表面 刻蚀 反射 配合 保证
【主权项】:
1.一种触摸屏用双面镀膜双面消影ITO导电膜,其特征在于,所述ITO导电膜包括TG基板、镀于所述TG基板上下表面的五氧化二铌膜、镀于所述五氧化二铌膜表面的二氧化硅膜和分别镀于所述二氧化硅膜表面的ITO导电层,其中,所述二氧化硅膜的厚度大于所述五氧化二铌膜厚度的8倍且所述二氧化硅膜的厚度小于所述五氧化二铌膜厚度的10倍,所述ITO导电膜的阻值范围为60欧~90欧。
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