[发明专利]一种掺杂实现过渡金属氧/硫化物磁电一体化调控的方法有效
| 申请号: | 201911417743.8 | 申请日: | 2019-12-31 |
| 公开(公告)号: | CN111148425B | 公开(公告)日: | 2021-06-08 |
| 发明(设计)人: | 吴琛;王晖;严密 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
| 主分类号: | H05K9/00 | 分类号: | H05K9/00;B01J19/18 |
| 代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 郑海峰 |
| 地址: | 310058 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种掺杂实现过渡金属氧化物和硫族化合物磁电参数一体化调控的方法,用于在单组分材料中同时获得磁损耗和电损耗,提高电磁波的吸收及转化效率。本发明通过在过渡金属氧化物或硫族化合物中掺杂Fe、Co、Ni、Mn、Cr中的一种或几种离子,诱导其产生室温磁性。掺杂离子对过渡金属氧/硫化物的介电系数亦有良好的调控作用,进而达到材料磁电一体化调控的目的。该方法可以通过改变掺杂原子的种类和含量在单组分材料中同时引入电损耗和磁损耗的调节机制,获得较好的阻抗匹配并增强电磁波衰减特性,具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 掺杂 实现 过渡 金属 硫化物 磁电 一体化 调控 方法 | ||
【主权项】:
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