[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201911416610.9 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN111170266B | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 季锋;刘琛;闻永祥 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集成电路有限公司;杭州士兰微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81B5/00;B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法，该制造方法包括：在半导体衬底中形成CMOS电路结构；在半导体衬底的至少部分表面形成隔离层；以及在隔离层上形成MEMS结构，包括在隔离层上形成牺牲层、在牺牲层中形成结构层，以及去除至少部分牺牲层，使得部分结构层被释放以形成可动结构，在形成可动结构之前，制造方法还包括在CMOS电路结构上和至少部分MEMS结构上形成钝化层。该制造方法通过基于同一半导体衬底形成CMOS电路结构与可动结构，降低了CMOS电路结构与可动结构之间的寄生参数，并且在形成可动结构的步骤中，通过覆盖CMOS电路结构的钝化层保护了CMOS电路结构不被损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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