[发明专利]一种带石墨烯层散热的封装结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201911406928.9 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN111180347B | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 张江华;吴昊平 | 申请（专利权）人： | 江苏长电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/31;H01L23/367;H01L23/373 |
| 代理公司： | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人： | 赵海波 |
| 地址： | 214400 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种带石墨烯层散热的封装结构及其制造方法，所述封装结构焊盘朝下的第一芯片(3)，所述第一芯片(3)外围包封有第一塑封料(4)，所述第一塑封料4内部设置有复数个第一铜柱(7)和第二铜柱(8)，所述第一芯片(3)和第一塑封料(4)背面设置有背面第一绿油涂层(9)，所述第一绿油涂层(9)表面设置有背面线路(10)。本发明芯片封装结构中加入了散热功能极好的石墨烯层，使得芯片工作过程中能及时将热量散出，可以有效的降低芯片的热点值，从而让芯片更稳定的工作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 散热 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏长电科技股份有限公司，未经江苏长电科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911406928.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一个基于记忆神经网络的对话式信息检索的方法
- 下一篇：设备验证方法及设备
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
