[发明专利]芯片级封装发光二极管在审

专利信息
申请号: 201911392695.1 申请日: 2017-08-31
公开(公告)号: CN111129264A 公开(公告)日: 2020-05-08
发明(设计)人: 吴世熙;金钟奎;李俊燮 申请(专利权)人: 首尔伟傲世有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/46;H01L33/10;H01L33/02;H01L33/52;H01L33/62;H01L27/15
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 姜长星;李盛泉
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种芯片级封装发光二极管,包括:第一导电型半导体层;台面,位于第一导电型半导体层,包含活性层及第二导电型半导体层;欧姆反射层,布置于台面,电连接于第二导电型半导体层;下部绝缘层,覆盖台面及欧姆反射层,包含第一开口部及第二开口部;第一焊盘金属层,布置于下部绝缘层,电连接于第一导电型半导体层;第二焊盘金属层,布置于下部绝缘层,电连接于欧姆反射层;上部绝缘层,覆盖第一、第二焊盘金属层,包含使第一焊盘金属层暴露的第一开口部及使第二焊盘金属层暴露的第二开口部;第一凸起焊盘,连接于第一焊盘金属层;第二凸起焊盘,连接于第二焊盘金属层,其中,第二凸起焊盘包括与第一焊盘金属层之间形成的多个凸出部。
搜索关键词: 芯片级 封装 发光二极管
【主权项】:
暂无信息
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