[发明专利]SiC同质外延层的剥离方法在审
| 申请号： | 201911385064.7 | 申请日： | 2019-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN111048407A | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 杨军伟;宋华平;陈蛟;简基康;王文军;陈小龙 | 申请（专利权）人： | 松山湖材料实验室 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L21/683 |
| 代理公司： | 深圳市千纳专利代理有限公司 44218 | 代理人： | 袁燕清 |
| 地址： | 523000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SiC同质外延层的剥离方法，其包括如下步骤：(1)制造缺陷层；(2)退火修复表面；(3)获得SiC外延层；(4)剥离。本发明通过离子注入的方法在SiC衬底表面附近制造缺陷层，同质外延生长后进行激光剥离，最终实现外延层和衬底的分离，整体过程步骤简洁，易于实现；而且对离子注入后的SiC衬底进行快速退火，这样使得缺陷层在后续的SiC外延生长的高温下也相对稳定；同时利用缺陷层对激光的强烈吸收，既可以增强激光的烧蚀效率，同时还减少了激光对SiC外延层的损伤；另外被剥离下来的SiC剩余衬底通过抛光后可以再次用来生长SiC外延层，有效提高了SiC衬底的利用率，降低了外延的生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | sic 同质 外延 剥离 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
