[发明专利]一种基于二维材料的柔性铁电存储单元的制备方法

摘要

本发明公开了一种基于二维材料的柔性铁电存储单元的制备方法。该制备方法包括：从WTe2晶体中剥离WTe2薄膜并转移到柔性膜片上；在WTe2薄膜表面形成源电极和漏电极；在源电极、漏电极和WTe2薄膜上形成PVDF基铁电薄膜；在PVDF基铁电薄膜上形成栅电极。在本发明实施例中，通过将剥离的WTe2薄膜转移到柔性膜片上并在WTe2薄膜上形成源电极、漏电极以及PVDF基铁电薄膜，最后在PVDF基铁电薄膜上形成栅电极，实现了在柔性膜片上基于WTe2为导电通道的柔性铁电存储单元的制备。