[发明专利]一种氮化钽薄膜电阻器的制备方法及制备设备在审
| 申请号： | 201911380467.2 | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN110983276A | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 林鹏;赵培 | 申请（专利权）人： | 无锡奥夫特光学技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/30;C23C14/26;C23C14/06;C23C14/02;C23C14/50;C23C14/58;C23C14/14 |
| 代理公司： | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 杨立秋 |
| 地址： | 214000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开一种氮化钽薄膜电阻器的制备方法及制备设备，属于电阻器制备技术领域。所述氮化钽薄膜电阻器的制备方法及制备设备包括真空室、旋转装置、抽气泵组、供气装置、磁控装置、热阻蒸发装置、AR离子清洗装置和电子束蒸发装置；所述抽气泵组保证所述真空室处于真空状态，使AR离子旋转清洗、氮化钽薄膜电阻层镀膜、钛金属镀膜、贵金属镀膜和蚀刻图形的制备工艺均在真空条件下完成，与传统自然环境下的常规制备工艺相比，生产出的氮化钽薄膜电阻器合格率更高，使用寿命更长，且生产效率也大大提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 薄膜 电阻器 制备 方法 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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