[发明专利]纳米材料及其制备方法、量子点发光二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 201911376470.7 | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN113044875A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 何斯纳;吴龙佳;吴劲衡 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | C01G9/02 | 分类号： | C01G9/02;B82Y20/00;B82Y40/00;H01L51/50 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 黄志云 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种纳米材料，所述纳米材料包括ZnO纳米材料和掺杂在ZnO晶格中的掺杂元素，且所述掺杂元素为Er元素和Yb元素。本发明提供的纳米材料，通过Er元素和Yb元素的共掺杂，提高了ZnO纳米材料的电子传输能力，用作量子点发光二极管的电子传输层时，能够促进电子‑空穴在量子点发光层中有效地复合，进而降低激子累积对器件性能的影响，提高量子点发光器件的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 材料 及其 制备 方法 量子 发光二极管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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