[发明专利]晶圆的测试方法在审
| 申请号： | 201911375468.8 | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN111128782A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 吴苑 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦健 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆测试方法，使用测试探针机台针对晶圆上的芯片进行测试，包含：步骤一，进行晶圆探针测试，获取到晶圆的电学测试数据；步骤二，抬起探针，对晶圆上压焊点上的探针扎针针痕进行拍照，通过图像识别技术，获取当前测试后留下的针痕数据；步骤三，对上述针痕数据进行运算和分析：a，针痕位置分析，针痕是否落在晶圆上的压焊点范围内，以判定扎针是否有效；b,将当前针痕数据与之前扎针的针痕数据进行比对，以判定当前针痕的偏移；c,对针痕图像进行运算获取针痕所占面积比，或者判定晶圆压焊点是否存在金属层剥落露底。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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