[发明专利]一种宽带光吸收体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201911372212.1 | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN111129183A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 崔艳霞;邱开放;李国辉;高琳华;石林林;王文艳;郝玉英;吴玉程 | 申请（专利权）人： | 太原理工大学 |
| 主分类号： | H01L31/0236 | 分类号： | H01L31/0236;H01L31/0216;H01L31/18;B82Y40/00;B82Y30/00;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 | 代理人： | 李富元 |
| 地址： | 030024 山西*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明属于吸收体光子器件的技术领域，一种宽带光吸收体结构，其由氧化铝封装层、阳极氧化铝模板AAO、倒锥洞状的2‑30层介质/金属复合层构成，其中，氧化铝封装层厚度为0.5‑5纳米，阳极氧化铝模板AAO厚度为100‑1500纳米，每层介质/金属复合层中，介质厚度为1‑150纳米，金属厚度为1‑50纳米。本发明还涉及该宽带光吸收体结构的制备方法。本发明对太阳能光的吸收效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 宽带 吸收体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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