[发明专利]SiC沟槽氧化层和SiC MOSFET沟槽栅的制备方法及SiC MOSFET器件在审
| 申请号： | 201911366550.4 | 申请日： | 2019-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN113054014A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 郑昌伟;刘坤;施剑华;焦莎莎;刘启军;丁杰钦;赵艳黎;周正东 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/16;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;张杰 |
| 地址： | 412001 湖南省株洲市石峰*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本公开提供一种SiC沟槽氧化层和SiC MOSFET沟槽栅的制备方法及沟槽型SiC MOSFET器件。该方法包括：提供第一导电类型的SiC衬底；刻蚀所述衬底，在所述衬底内形成多个间隔设置的沟槽结构；以掩蔽层作为掩蔽，注入氧离子到所述衬底，以在所述衬底表面和所述沟槽结构的底部形成氧离子注入层；去除所述掩蔽层，对所述衬底进行热氧化处理，以分别在所述衬底的表面和所述沟槽结构的底部形成第一氧化层，在所述沟槽结构的侧壁形成第二氧化层；其中，所述第一氧化层的厚度大于或等于所述第二氧化层的厚度。不仅解决了现有技术中沟槽氧化层质量差、沟槽侧壁与沟槽底部氧化层厚度不受控制的问题，而且提高了氧化层的长期可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | sic 沟槽 氧化 mosfet 制备 方法 器件 | ||
【主权项】：
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