[发明专利]一种用于柔性MEMS器件的转印工艺方法有效
| 申请号: | 201911364222.0 | 申请日: | 2019-12-25 | 
| 公开(公告)号: | CN111086971B | 公开(公告)日: | 2022-06-21 | 
| 发明(设计)人: | 崔岩;高志东;李嘉豪;于舜尧 | 申请(专利权)人: | 大连理工大学 | 
| 主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00 | 
| 代理公司: | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人: | 温福雪;侯明远 | 
| 地址: | 116024 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 | 
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| 摘要: | 
                            本发明属于半导体/MEMS制造工艺技术领域,提供了一种用于柔性MEMS器件的转印工艺方法,尤其可利用于将在硅等刚性基底上制作完成的结构或器件,转印到如聚酰亚胺、PET、PDMS等柔性衬底上。在基于PZT的柔性压电能量收集器的案例中,针对该工艺成功率较低导致影响整体工艺的成功率,本发明创新性地提出了以PECVD沉积制作的SiN | 
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| 搜索关键词: | 一种 用于 柔性 mems 器件 工艺 方法 | ||
【主权项】:
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