[发明专利]一种用于柔性MEMS器件的转印工艺方法有效

专利信息
申请号: 201911364222.0 申请日: 2019-12-25
公开(公告)号: CN111086971B 公开(公告)日: 2022-06-21
发明(设计)人: 崔岩;高志东;李嘉豪;于舜尧 申请(专利权)人: 大连理工大学
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00
代理公司: 大连理工大学专利中心 21200 代理人: 温福雪;侯明远
地址: 116024 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明属于半导体/MEMS制造工艺技术领域,提供了一种用于柔性MEMS器件的转印工艺方法,尤其可利用于将在硅等刚性基底上制作完成的结构或器件,转印到如聚酰亚胺、PET、PDMS等柔性衬底上。在基于PZT的柔性压电能量收集器的案例中,针对该工艺成功率较低导致影响整体工艺的成功率,本发明创新性地提出了以PECVD沉积制作的SiNX作为转印前释放的牺牲层,相对传统工艺中以SiO2为释放工艺的牺牲层,本改进明显缩短了释放时间,使结构不至于在HF酸缓冲液中浸泡太久而导致失效,大大提高了转印工艺的成功率。同时,提出了在转印期间的加压加温的工艺改进,进一步提高了转印成功率。
搜索关键词: 一种 用于 柔性 mems 器件 工艺 方法
【主权项】:
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