[发明专利]一种具有内嵌沟道二极管的双沟槽SiC MOSFET结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201911361615.6 | 申请日： | 2019-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN111048590B | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 贾云鹏;夏天;周新田;赵元富;胡冬青;吴郁 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 吴荫芳 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有内嵌沟道二极管的双沟槽SiC MOSFET结构及其制备方法，结构包括：N‑漂移层；衬底层；漏极金属；JFET区；P‑base区；N+源区；P‑region区；P‑plus区；MOSFET栅氧；沟道二极管栅氧，厚度要小于MOSFET栅氧；MOSFET多晶硅栅；沟道二极管多晶硅栅；隔离氧；源极金属。一方面，在电路中充当续流二极管的作用时，完全消除传统SiC MOSFET结构因少数载流子复合发生的双极退化效应，并且具备更低的开启电压，减小了功率损耗；另一方面，器件的输入电容、转移电容及栅电荷特性得到了极大改善。此外，相比传统器件的制造方法，只增加了一步刻蚀栅氧工艺，控制了制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 沟道 二极管 沟槽 sic mosfet 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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