[发明专利]一种自具微孔聚合物阴离子交换膜的制备方法有效
| 申请号： | 201911359523.4 | 申请日： | 2019-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN111019182B | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 尹燕;黄彤;张俊锋 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C08J7/12 | 分类号： | C08J7/12;C08J5/22;B01J41/13;B01J47/12;C08L71/10 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 琪琛 |
| 地址： | 300350 天津市津南区海*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明属于功能高分子材料的制备技术领域，公开了一种自具微孔聚合物阴离子交换膜的制备方法，通过对PIM‑1基膜进行还原胺化、季铵化两步后修饰反应，得到基于自具微孔聚合物材料的阴离子交换膜。通过控制还原胺化步骤的反应程度，可以得到不同离子交换容量的PIMs阴离子交换膜。相比于常见的致密聚合物阴离子交换膜，本发明所制备的基于PIMs的阴离子交换膜在相同离子交换容量下具有更高的离子传导率，由于其刚性骨架及海绵状多孔结构，其溶胀度随温度敏感性及离子输出阻力都大大降低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微孔 聚合物 阴离子 交换 制备 方法 | ||
【主权项】：
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