[发明专利]一种用于MEMS晶圆级封装的应力补偿方法有效
| 申请号： | 201911358916.3 | 申请日： | 2019-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN111115566B | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 崔尉;刘福民;邱飞燕;梁德春;刘宇;张树伟;杨静;张乐民;吴浩越;马骁 | 申请（专利权）人： | 北京航天控制仪器研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81C3/00;B81B7/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 任林冲 |
| 地址： | 100854 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种用于MEMS晶圆级封装的应力补偿方法，加工封帽层硅片时，在其背面加工出与正面完全镜像对称的二氧化硅图形结构；再将封帽层硅片和器件层硅片通过Si‑SiO |
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| 搜索关键词： | 一种 用于 mems 晶圆级 封装 应力 补偿 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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