[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法及记录介质在审
| 申请号： | 201911357253.3 | 申请日： | 2019-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN111696887A | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 中嶋诚世 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/677 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 闫剑平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明能够实现壳体内的氧浓度降低和移载室稳定的压力控制。本发明技术包括：对搭载于舟皿的基板进行处理的处理室；将基板移载至舟皿的移载室；与移载室邻接的晶片盒搬送室；设于晶片盒搬送室的搬送室系统排气部；沿着构成搬送室的壳体的壁设置的加强构造，其与壁之间形成第一封入空间；以使壳体内的空间与第一封入空间连通的方式设于加强构造的连通孔；在壳体内与多个加强构造连接的集合管，其具有与多个第一封入空间连通的第二封入空间；向构成移载室的壳体内供给非活性气体的非活性气体供给部；及在晶片盒搬送室与集合管连接的压力调整部，其调整为移载室的压力＞第一封入空间的压力＞第二封入空间的压力＞晶片盒搬送室的压力。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 半导体 制造 方法 记录 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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