[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201911356238.7 | 申请日： | 2019-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN112490288A | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 岩津泰德 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘英华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实施方式提供能够使得截止状态时的高耐压和导通状态时的低电阻两立的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第1半导体层；第1导电型的第2半导体层，设置于第1半导体层的一部分上；第2导电型的第3半导体层，设置于第2半导体层的一部分上，与第1半导体层分离；第2导电型的第4半导体层，设置于第1半导体层的其他的一部分上；第1绝缘膜，设置于第3半导体层与第4半导体层之间的部分上及第4半导体层中的第2半导体层侧的部分上；第2绝缘膜，设置于第4半导体层上，与第1绝缘膜接触，比第1绝缘膜厚；第3绝缘膜，设置于第2绝缘膜上；以及电极，设置于第1绝缘膜上、第2绝缘膜上及第3绝缘膜上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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