[发明专利]一种银纳米线/石墨烯复合薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201911353193.8 | 申请日： | 2019-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN111091931A | 公开（公告）日： | 2020-05-01 |
| 发明（设计）人： | 陈姝敏;徐一麟;吴迪;赵魁 | 申请（专利权）人： | 荆楚理工学院 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00 |
| 代理公司： | 荆门市森皓专利代理事务所(普通合伙) 42253 | 代理人： | 王丽 |
| 地址： | 448000 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及复合材料制备领域，公开了一种银纳米线/石墨烯复合薄膜的制备方法，包括以下步骤：1)石墨烯薄膜的制备；2)石墨烯薄膜的转移；3)银纳米线/石墨烯复合薄膜的制备。本发明充分发挥了银纳米线与石墨烯薄膜各自的优势，使复合薄膜具有高导电性与高透过率的同时保证其表面平整度，其电学性能已媲美ITO薄膜，且其光学透过率却更优于ITO薄膜，更适合于透明导电电极的应用。同时，本发明很好的减少了工艺流程，大大降低了材料的制备成本，有利于实现大规模工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 石墨 复合 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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