[发明专利]一种非接触式测量硅晶圆电阻率的光学方法在审
| 申请号： | 201911352590.3 | 申请日： | 2019-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN110940860A | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 孙启明;王静;高椿明;雷晓轲 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G01R27/02 | 分类号： | G01R27/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非接触式测量硅晶圆电阻率的光学方法，运用强度周期性调制的、光子能量大于硅禁带宽度的激光经准直、扩束后激励硅晶圆，在其中产生浓度周期性变化的自由电子/空穴对；自由电子/空穴对通过辐射复合所发出的近红外荧光信号由一组离轴抛物面镜收集后由近红外光电探测器记录，并由锁相放大器解调、获得荧光信号的幅度与相位；连续地改变平均激励光强可以得到一组强度扫描的荧光信号，激励光强的相对改变由另一个光电探测器实时记录；通过分析强度扫描数据可以求出硅晶圆的平衡多数载流子浓度，进而得到其电阻率。本方法可以非接触地测量硅晶圆电阻率，为半导体制造业的晶圆在线监测/检测提供一种全光学的、无损、定量的表征方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 接触 测量 硅晶圆 电阻率 光学 方法 | ||
【主权项】：
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