[发明专利]一种Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体外延片、包含该外延片的器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201911349754.7 | 申请日： | 2014-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN111129238A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 郝茂盛;袁根如;奚明;马悦 | 申请（专利权）人： | 上海芯元基半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/32;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人： | 王媛;钟守期 |
| 地址： | 201200 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种Ⅲ‑Ⅴ族氮化物半导体外延片，包括：1)衬底(101)；2)外延缓冲层(102)；3)多个半导体介质凸起(107)；4)外延过渡层(108)；和5)外延有效层，所述外延有效层自下而上含有n型外延层(109)、发光层(110)、与p型外延层(111)。本发明还提供该外延片的制造方法、包含该外延片的器件及其制备方法。本发明可以有效提高外延片晶体质量例如位错密度，并且能改善半导体器件的各项性能指标、尤其是发光效率、漏电流以及抗静电击穿性等。本发明的制备方法工艺简单，有利于降低制造成本，适用于工业生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化物 半导体 外延 包含 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海芯元基半导体科技有限公司，未经上海芯元基半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911349754.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
