[发明专利]一种工位可独立控制的多坩埚晶体生长炉及控制方法有效
| 申请号： | 201911348765.3 | 申请日： | 2019-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN110923802B | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 郭海生;宋克鑫;王富贵;徐卓;李飞;栾鹏;庄永勇 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 马贵香 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种工位可独立控制的多坩埚晶体生长炉及控制方法，包括单独升降装置和联动升降装置，单独升降装置和联动升降装置上分别连接有单独支撑板和联动支撑架，且单独支撑板位于联动支撑架下侧，联动支撑架上均匀设置有若干工位孔，工位孔中设置有坩埚引下装置，联动支撑架上还设置有能够将坩埚引下装置支撑在工位孔中的坩埚支撑架，坩埚引下装置上部穿插设置在炉体中，炉体的底部设置有供坩埚引下装置穿过的炉口，坩埚引下装置内部设置有坩埚，外侧套设有均温管，均温管外侧套设有环形发热体，环形发热体通过温控系统进行联动控制或单独控制，还包括能够将坩埚引下装置在炉体中的空间进行隔离的工位隔热装置。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 工位可 独立 控制 坩埚 晶体生长 方法 | ||
【主权项】：
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