[发明专利]衬底转移外延生长的HEMT与LED的单片集成方法及器件

摘要

本发明公开的衬底转移外延生长的HEMT与LED的单片集成方法，利用MOCVD在衬底上生长全结构HEMT之后，经选区刻蚀确定LED区，在特定区域生长n‑GaN，使之与HEMT的异质结相接触；在HEMT区制备源、栅电极后，进行衬底转移+并减薄刻蚀原衬底及部分缓冲层；然后在LED区外延生长多量子阱层和p‑GaN，形成垂直LED结构；最后通过开孔刻蚀的方法引出HEMT的源、栅电极，并在LED区制备p电极，实现HEMT与垂直LED的集成。本发明利用GaN HEMT高频率、高功率的优势，可将原本由电流驱动的LED转变为电压驱动，且内部无需电极互联，减小器件寄生电阻，可用于实现集成化、微型化、稳定的可见光通信系统。