[发明专利]一种单晶炉及单晶硅棒的制备方法有效
申请号: | 201911347998.1 | 申请日: | 2019-12-24 |
公开(公告)号: | CN110923806B | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
发明(设计)人: | 蒲以松;杨帅军 | 申请(专利权)人: | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
主分类号: | C30B15/14 | 分类号: | C30B15/14;C30B15/20;C30B29/06 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;胡影 |
地址: | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明提供一种单晶炉及单晶硅棒的制备方法,所述单晶炉包括:环形保温罩,所述环形保温罩水平设置于所述坩埚加热器的上方并与所述坩埚的内壁固定;导流筒,所述导流筒的第一端搭设于所述环形保温罩的内沿,所述导流筒的第二端延伸至所述坩埚内;伸缩加热器,所述伸缩加热器的顶部通过连接筒与所述炉口的边缘连接,所述伸缩加热器的下部伸入所述导流筒内,所述导流筒的内壁与所述伸缩加热器的外壁之间形成有用于引导惰性气体流动的风道,所述伸缩加热器可沿其轴线方向做伸缩运动。根据本发明实施例的单晶炉,可以对提拉过程中的单晶硅棒的不同高度部位进行加热,使其保持在本征点缺陷发生聚集的温度之上,有效提高了制得的单晶硅棒的质量。 | ||
搜索关键词: | 一种 单晶炉 单晶硅 制备 方法 | ||
【主权项】:
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