[发明专利]一种基于GaAs工艺的输入缓冲电路有效
| 申请号： | 201911344328.4 | 申请日： | 2019-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN111010166B | 公开（公告）日： | 2023-08-25 |
| 发明（设计）人： | 潘晓枫;林宗伟;林瑞;李颂;江伦伯;徐波 | 申请（专利权）人： | 中电国基南方集团有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0175 | 分类号： | H03K19/0175;H03K19/003 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 葛潇敏 |
| 地址： | 211153 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种基于GaAs工艺的输入缓冲电路，包括第一至第三PHEMT管、第五至第九PHEMT管、第一至第九电阻、第十一至第十四电阻，以及源极跟随电路；其中，第一PHEMT管和第二PHEMT管构成伪差分的比较器结构，通过设置第一电阻、第二电阻、第三电阻与第四电阻的值，保证在翻转点附近的电压相等。此种电路结构可减小翻转点电压对工艺偏差、温度变化的敏感性，且在一定程度上抑制外界共模噪声干扰，极大地提高GaAs数字电路芯片的成品率，并使电路的安全可靠性得到进一步的提升，保证电路的正常工作，并实现电路的全摆幅输出。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 gaas 工艺 输入 缓冲 电路 | ||
【主权项】：
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