[发明专利]一种应用于低温磁制冷的轻稀土REZnSi材料的制备方法有效

专利信息
申请号: 201911343061.7 申请日: 2019-12-23
公开(公告)号: CN111074130B 公开(公告)日: 2021-02-09
发明(设计)人: 李领伟;马怡辉;卢晨曦;张晓飞 申请(专利权)人: 杭州电子科技大学
主分类号: H01F1/01 分类号: H01F1/01;C22C30/00;C22C1/04;C22F1/00
代理公司: 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 代理人: 杨舟涛
地址: 310018 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明一种应用于低温磁制冷的轻稀土REZnSi材料及制备方法,RE为轻稀土Ce,Pr,Nd中的一者或多者之间的混合;所述的REZnSi材料具有六方型晶体结构,属于P6/mmm空间群;在0~2T的磁场变化下,等温磁熵变为2.5‑7.2J/kgK,在0~5T的磁场变化下,等温磁熵变为5.8‑13.8J/kgK;在0~7T的磁场变化下,等温磁熵变为9.4‑12.4J/kgK。首先将稀土和硅按一定加热融化制备出均匀合金锭子,破碎成粉末与锌粉按比例混合,利用热压的方法制备出致密的合金块,对合金块热处理后获得成品。本发明材料可应用于低温区磁制冷领域。原料价格低廉,制备方法工艺简单、适用于工业化。
搜索关键词: 一种 应用于 低温 制冷 稀土 reznsi 材料 制备 方法
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