[发明专利]一种高精度高电源抑制比耗尽型电压基准电路在审
| 申请号： | 201911338684.5 | 申请日： | 2019-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN111026223A | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 王婉;夏雪;董磊;王勇 | 申请（专利权）人： | 西安航天民芯科技有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 西安利泽明知识产权代理有限公司 61222 | 代理人： | 刘伟 |
| 地址： | 710000 陕西省西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明属于电源技术领域，具体公开了一种高精度高电源抑制比耗尽型电压基准电路，其包含开关管以及与其连接的第一级基准产生电路、第二级反馈电路；本发明利用耗尽型NMOS的特性产生一个不随温度、电源电压的变化而变化的内部参考电压，同时可以实现自启动，相比于采用三极管及运放的典型电压基准电路，本发明涉及的电压基准电路更加简化，尺寸更小；并且，本发明涉及的电压基准电路采用两级带反馈的电路实现基准电压的高精度、高稳定性和高电源电压抑制比等优点，能够广泛应用于各类DC/DC转换器中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高精度 电源 抑制 耗尽 电压 基准 电路 | ||
【主权项】：
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