[发明专利]对准方法及校准方法有效
| 申请号： | 201911334523.9 | 申请日： | 2019-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN111128829B | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | 黄莉晶 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68;H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种对准方法及校准方法，通过设定一母程式，获取第一标记点和第二标记点对应的晶圆的位置，由此通过第一标记点和所述第二标记点调整晶圆的位置，实现晶圆与电子束检测机台的位置对准。以及通过设定一子程式，在所述子程式中设置第一芯片特征区和第二芯片特征区的位置，进而得到第一芯片标记点和第二芯片标记点；进一步获取所述第一芯片标记点和所述第二芯片标记点的坐标，并通过所述坐标计算出所述芯片的尺寸，然后，比较所述芯片和所述虚拟芯片的尺寸，确定是否校准多个所述虚拟芯片的尺寸，以校准多个所述虚拟芯片的位置，由此校准与多个芯片对应的多个虚拟芯片的位置。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 方法 校准 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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