[发明专利]一种生长具有高温稳定性的纳米孪晶铜的硅通孔填充方法在审
| 申请号： | 201911333631.4 | 申请日： | 2019-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN113013085A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 朱婧;明安杰;赵永敏 | 申请（专利权）人： | 有研工程技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;C23C14/16;C23C14/35;C25D3/38;C25D7/12 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青 |
| 地址： | 101407 北京市怀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种生长具有高温稳定性的纳米孪晶铜的硅通孔填充方法。该方法包括以下步骤：(1)在硅基片上通过干法刻蚀或湿法刻蚀形成通孔；(2)采用热氧化工艺将硅基片表面氧化，在侧壁上形成绝缘层；(3)利用光刻技术在Si基片的外围区域覆盖光刻胶，从而使Si基片中间位置形成一个圆形图案，且保证所述通孔位于所述圆形图案区域内；(4)在通孔中制作阻挡层和种子层；(5)以Cu板为阳极，以种子层为阴极，采用直流电镀的方式在通孔内生长纳米孪晶铜；(6)去除外围光刻胶。采用本发明的方法能够提高硅通孔互连材料的电学性能、机械性能和高温稳定性能，该方法成本低廉、制备工艺简单，适合产业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 具有 高温 稳定性 纳米 孪晶铜 硅通孔 填充 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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