[发明专利]一种全硅三明治微加速度计制作方法在审

专利信息
申请号: 201911329259.X 申请日: 2019-12-20
公开(公告)号: CN111024984A 公开(公告)日: 2020-04-17
发明(设计)人: 刘宇;刘福民;邱飞燕;刘国文;梁德春;张乐民;崔尉;张树伟;马骁;徐宇新 申请(专利权)人: 北京航天控制仪器研究所
主分类号: G01P15/08 分类号: G01P15/08
代理公司: 中国航天科技专利中心 11009 代理人: 高志瑞
地址: 100854 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种全硅三明治微加速度计制作方法,该方法包括如下步骤:在上极板硅晶片上下表面生长二氧化硅绝缘层,光刻腐蚀出多个上极板单元;在下极板硅晶片上下表面生长二氧化硅绝缘层,光刻腐蚀出多个下极板单元;在结构硅晶片上下表面生长二氧化硅绝缘层,双面光刻湿法腐蚀出多个结构单元;将结构硅晶片的结构单元、上极板硅晶片中与结构单元相对应的上极板单元和下极板硅晶片中与结构单元相对应的下极板单元在设定气压的键合设备内键合。本发明可以加工出密封性好、尺寸精度满足要求的敏感芯片,能减少焊盘的折损率,本发明能使芯片的质量和成品率得到很大的提高。
搜索关键词: 一种 三明治 加速度计 制作方法
【主权项】:
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