[发明专利]一种氮化镓器件的外延结构在审
| 申请号： | 201911322814.6 | 申请日： | 2019-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN110993689A | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 王东;吴勇;汪琼;陈兴;严伟伟;陆俊;葛林男;何滇;王俊杰;曾文秀;操焰;崔傲;袁珂;陈军飞;张进成 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学芜湖研究院 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/10;H01L21/335 |
| 代理公司： | 芜湖思诚知识产权代理有限公司 34138 | 代理人： | 房文亮 |
| 地址： | 241000 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种氮化镓器件的外延结构，属于微电子技术领域，包括衬底、低温成核层、缓冲层、高阻层、沟道层以及势垒层，其中，缓冲层是由GaN1/SiN/GaN2循环生长组成，包括GaN1晶核层、网状结构SiN薄层、GaN2填平层，主要通过控制这三子层生长环境中的NH3总量来控制其生长模式的不同，本发明通过循环生长GaN1/SiN/GaN2缓冲层可以大幅度降低材料的位错密度，提高晶格质量，从而提升HEMT器件的电子迁移率、击穿电压以及漏电流等特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 器件 外延 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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